本发明涉及一种形成黑硅的方法，尤其是一种用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法。该方法具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板，通过硅片上料将需刻蚀硅片置于硅片载板上；二、载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下经过平行放置的线性等离子源，载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下在真空中按一定速度经过线性等离子源；三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅。本发明的优点是等离子密度高，对硅表面损伤低，使所得的黑硅电池片转换效率高；同时，刻蚀速度度快，增加了产量；另一方面，利用本发明载板是放在接地电极上的，这样使离子源更加稳定。