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一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
编号:S000030925 刷新日期: 有效日期至:2020-10-12 浏览:2255 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗、腐蚀制绒;(2)将硅片的正面和背面分别进行Si离子注入,在正反两面上分别形成一层非晶硅薄膜;(3)将硅片正面的非晶硅薄膜进行两次B离子注入;(4)将硅片背面的非晶硅薄膜进行B离子注入;(5)将硅片背面的非晶硅薄膜进行P离子注入;(6)热激活处理;(7)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层;(8)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池,形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面,提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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