一种单晶硅太阳能电池的生产工艺，步骤如下：在P型单晶硅片上表面淀积含有磷元素的二氧化硅薄膜；对淀积后的硅片进行第一次高温扩散，形成PN结；除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层；在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层；将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散，使非电极区掺入的磷元素扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的磷元素进一步向电极区扩散，形成电极区的重掺杂，同时非晶硅层及非电极区的硅片表面被氧化；去除单晶硅片表面的二氧化硅；在单晶硅片表面淀积氮化硅抗反射层；制备金属电极。本发明通过非晶硅吸收非电极区的杂质，使非电极区的掺杂浓度降低，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了电池性能。