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一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺
编号:S000030642 刷新日期: 有效日期至:2020-11-01 浏览:2375 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)进舟:将硅片放入石英舟中;(2)升温:通入氮气后升温;(3)预清洗:同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗;(4)等离子溅射沉积:通入氨气和硅烷,开启射频等离子溅射沉积;(5)出舟;(6)冷却。本发明的有益效果是:缩短生产时间,提升生产产能,缩短工艺运行时间缩短6分钟;节省氨气使用量,降低生产成本;改善氮化硅薄膜的均匀性;提升电池片的转换效率;方法简单可行,不需要增加额外工序步骤和物料。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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