本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为：电活性杂质为10¹³～10²¹atoms/cm³、锗为10¹⁶～10¹⁹atoms/cm³、锡为10¹³～10¹⁶atoms/cm³。本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。本发明方法制备的单晶硅，对日光转换效率更好，光衰更小。