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> 技术详情
N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法
编号:S000030451
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-24
浏览:
2149
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)制绒;(2)在硅片的正面和背面均设置氧化膜;(3)印刷腐蚀浆料,腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜;所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域;(4)扩磷;(5)开孔;(6)刻蚀、清洗;(7)扩硼;(8)刻蚀;(9)设置钝化减反射膜;(10)在孔内设置孔金属电极;双面印刷金属电极,烧结;即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题,在太阳能电池背面与导电孔,以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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