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N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法
编号:S000030451 刷新日期: 有效日期至:2020-11-24 浏览:2206 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)制绒;(2)在硅片的正面和背面均设置氧化膜;(3)印刷腐蚀浆料,腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜;所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域;(4)扩磷;(5)开孔;(6)刻蚀、清洗;(7)扩硼;(8)刻蚀;(9)设置钝化减反射膜;(10)在孔内设置孔金属电极;双面印刷金属电极,烧结;即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题,在太阳能电池背面与导电孔,以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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