本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5)采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6)在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7)在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明成功将选择性发射极结构与背接触电池相结合，从而大大提高了转换效率，试验证明：与现有技术相比，本发明制得的背接触太阳电池的光电转换效率提升了0.4~0.6%，取得了显著的效果。