本发明公开了一种太阳能薄膜电池的结构及其制造方法，本发明的太阳能薄膜电池采用晶体硅片作为衬底，正面经退火处理后形成a-Si:H钝化层，再覆盖非晶硅薄膜层，可以修复和钝化正面由于RIE制绒后产生的缺陷以及晶体硅体内和表面固有的缺陷，并且在正面能形成良好的p-i-n结构，采用TCO覆盖表面可以很好的收集光生电流；背面用Al₂O₃钝化并覆盖SixNy层和背铝层，以保护Al₂O₃层在烧结时不被破坏，可以良好的钝化背面缺陷，如此结构烧结时候也不容易弯曲，可以减薄硅片的厚度，大大节约了电池的成本。