本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片上开孔；(5)在硅片的非孔金属电极区域上生长保护膜；(6)采用电镀的方法在孔内生成孔金属电极；(7)去除保护膜，丝网印刷受光金属电极和背光金属电极，印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明开发了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，采用电镀的方法生长孔金属电极，解决了背接触电池的灌孔不良的现象，大大降低了不良成品率；同时也降低了生产成本。