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> 技术详情
半导体发光二极管结构
编号:S000022085
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-05
浏览:
2427
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了半导体发光二极管结构,包括一外延基底,包含有一主表面和一外露表面;一外延结构,设于外延基底的主表面上,至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层,其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁,而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面,而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α,第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β,且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻;及一电极结构,设置于外延结构上。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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