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半导体发光二极管结构
编号:S000022085 刷新日期: 有效日期至:2020-11-05 浏览:2427 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了半导体发光二极管结构,包括一外延基底,包含有一主表面和一外露表面;一外延结构,设于外延基底的主表面上,至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层,其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁,而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面,而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α,第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β,且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻;及一电极结构,设置于外延结构上。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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