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> 技术详情
一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法
编号:S000029828
刷新日期:
有效日期至:
2021-01-02
浏览:
2273
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山西
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法,属于太阳能电池背场浆料的技术领域;提供一种高性能晶体硅太阳能电池背场铝浆的制备方法,该铝浆不含铅,过网性能好,烧结后硅片翘曲小,铝膜不起铝珠、铝包,致密性及导电性好,铝膜与电池片附着力高,电池片转换效率高,同时铝膜稳定性好;按照以下步骤进行:制备有机载体,制备混配铝粉,制备金属氧化物,选取铝硅合金粉,最后完成铝浆的制备;本发明主要应用在太阳能电池背场的浆料方面。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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