本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。