本发明公开一种硅基异质结双面太阳能电池及其制备方法，用非晶硅锗合金代替常规的非晶硅薄膜，作为异质结电池的发射极，同时用本征微晶硅锗薄膜作为电池的界面缓冲层，有效降低异质结能带失配导致的价带带阶，减小对空穴的阻碍影响，更有利于对光生少数载流子空穴的收集，从而提高太阳能电池的光伏性能指标。利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅片的两面分别沉积制备本征微晶硅锗薄膜、P型掺杂的非晶硅锗薄膜、本征非晶硅薄膜及N⁺型掺杂的非晶硅薄膜，实现有效收集光生载流子的目的。采用此工艺在双面抛光FZ型单晶硅片上制备了光电转换效率为14.62%的异质结双面太阳能电池。