本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0Ω.cm范围内，有利于增加N型多晶硅材料在制备高效太阳能电池过程中的利用率，从而使得高效太阳能电池的制造成本大幅度降低，而且操作简单，易于在光伏产业大规模应用。