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> 技术详情
一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法
编号:S000026775
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-04
浏览:
2421
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 安徽
技术领域:
能源与环保 - 水资源开发与保护
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法,是以水玻璃为硅源,常温下将氯化铵溶液搅拌加入水玻璃溶液中制备得到硅酸凝胶,向硅酸凝胶中加水稀释后抽虑以除去硅酸凝胶中的钠离子,随后加入炭黑,碳硅摩尔比为2-4.5∶1,混合均匀后干燥得到前驱体;将前驱体在氮气气氛中于1300-1450℃保温3-10小时得到粗产品;将粗产品于650℃热处理4-6小时得到亚微米级单相α-Si
3
N
4
粉体。本发明方法工艺流程简单,原料价格低廉;合成温度比一般现有技术低,合成的氮化硅粉体较纯净,硅酸前驱体的疏松多孔性有利于高温反应时N
2
的自由通透,大大提高了氮化率,抑制了杂质相SiC的产生。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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