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一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法
编号:S000026775 刷新日期: 有效日期至:2020-11-04 浏览:2260 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 安徽 技术领域:能源与环保 - 水资源开发与保护
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法,是以水玻璃为硅源,常温下将氯化铵溶液搅拌加入水玻璃溶液中制备得到硅酸凝胶,向硅酸凝胶中加水稀释后抽虑以除去硅酸凝胶中的钠离子,随后加入炭黑,碳硅摩尔比为2-4.5∶1,混合均匀后干燥得到前驱体;将前驱体在氮气气氛中于1300-1450℃保温3-10小时得到粗产品;将粗产品于650℃热处理4-6小时得到亚微米级单相α-Si3N4粉体。本发明方法工艺流程简单,原料价格低廉;合成温度比一般现有技术低,合成的氮化硅粉体较纯净,硅酸前驱体的疏松多孔性有利于高温反应时N2的自由通透,大大提高了氮化率,抑制了杂质相SiC的产生。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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