本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。该工艺能够有效的改善因为温度浓度差异导致的掺杂不均匀而出现的晶体硅太阳能电池转换效率不稳定的问题，提高晶体硅太阳能电池的转换效率和良品率。