本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。