本发明提出了一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；（6）对硅片进行曝光。本发明提出的一种硅片曝光的方法以曝光场为单位进行调焦调平，保证每个曝光场在焦深范围内进行曝光，从而保证每个曝光场的成像质量；因对硅片所有曝光场都进行调焦调平，大大提高了曝光场的曝光质量，从而提高了硅片的良率与产率。