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强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统
编号:S000025485 刷新日期: 有效日期至:2020-12-06 浏览:2452 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 安徽 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统,包括超导磁体、真空室、准分子脉冲激光器、激光束聚焦与扫描、高真空机组及各种控制系统等组成。真空腔内设有基片台、可旋转和升降的靶台等。在真空室内设有遮挡板,避免靶材的交叉污染,在靶台和基片台附近设有光纤摄像头,便于观察真空室内激光光路对准和薄膜沉积情况。本发明使用了超导磁体,磁场的方向与沉积薄膜的膜面可以平行或垂直,系统可用于0~15特斯拉不同磁场强度下的薄膜原位生长和后退火处理,从而实现对所沉积薄膜的微结构和功能特性的调控。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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