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SiO2薄膜厚度的测量方法
编号:S000025351 刷新日期: 有效日期至:2020-12-26 浏览:2384 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明SiO2薄膜厚度的测量方法,涉及采用光学方法计量厚度,是基于光纤激光器的SiO2薄膜厚度的测量方法,分为测量在SiO2氧化炉中Si片上生长的SiO2薄膜的厚度的动态测量方法和测量生长有SiO2薄膜的Si片上的SiO2薄膜厚度的静态测量方法两种,在测量操作的实施中采用在线实时测量操作或离线单独测量操作,所用的仪器和部件包括光纤激光器、载物架、接收屏、A/D转换器和DSP微处理器,该测量方法对SiO2薄膜的膜的表面没有损伤,克服了现有技术测量SiO2薄膜厚度的精度不高或所用设备的价格昂贵的缺点。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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