本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底；（2）在n-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极。