本发明公开了一种p型外延衬底激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长p-GaN外延衬底；（2）在p-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将p-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留p-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在p-GaN外延衬底的外围溅射形成p电极。