本发明涉及CIGS太阳能电池制造。本发明揭示一种使用卷对卷式装置制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。本发明揭示通过以下步骤制造半导体薄膜Cu(InGa)(SeS)₂的方法：依序电镀包含铜、铟、镓以及硒元素或其合金的多个前驱物层的堆叠，接着在介于450℃与700℃之间的温度下发生硒化。