本发明公开一种LED外延材料结构，该结构包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。本发明采用的宽窄阱复合结构同时实现了俘获大量载流子和辐射复合效率高两种效果，能够显著提高LED的发光效率。