本发明在图形化衬底表面低温生长成核层，形成凹凸不平的表面，克服传统LED器件结构中由于有源层存在极强的极化场，使得量子阱的能带发生倾斜，电子空穴波函数在空间上发生分离，使其辐射复合效率下降，从而降低LED内量子效率的问题，提供一种晶体质量较好，在弱极性面上实现非平面的有源层结构的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。从而提高LED的内量子效率。