本发明公开了一种具有界面绒化层的GaP基发光二极管，包括：P-GaP衬底，在P-GaP上依次外延生长的p-GaP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为5×10²⁰～1×10²¹；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。该发光二极管的外量子效率高，亮度高。