本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，p型层直接设于多量子阱层上，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层，第一多量子阱层由若干个In_aGa_1-aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，第一多量子阱层中的若干个量子垒层中至少一个为Al_xIn_yGa_1-x-yN层，其中，0＜x＜1，0≤y＜0.5；第二多量子阱层由若干个In_bGa_1-bN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，且a≤b。本发明通过上述方案，减小了第二多量子阱层的缺陷密度，提高了势垒高度，提高电子的缓冲和拦截能力，提高了器件的发光效率，且消除了由于电子阻挡层造成的晶格失配、能带弯曲的问题。