本发明公开一种渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管，通过能带工程设计与优化，在其外延结构中引入六种不同方式变化的类超晶格铝镓氮电子阻挡层来实现铝组分的变化，从而调节电子阻挡层中的极化效应，实现高的空穴注入，以解决紫外光半导体发光二极管中P型掺杂效率低空穴浓度不足的问题。