本发明提出了一种具有四方环状结构反射层的氮化镓基发光二极管，其为台阶结构，具有衬底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成在所述n型GaN层上；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层。其中，所述p型GaN层的上表面形成有四方环状结构的反射层。