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一种发光二极管芯片及其制造方法
编号:S000022231 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2348 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。该方法包括:提供发光二极管芯片的外延片;在外延片上设置透明导电层、第一电极和第二电极,第二电极设于透明导电层上;在透明导电层上沉积金属层;在金属层上匀上光刻胶,并采用光刻技术制作光刻胶的根须母体,根须母体呈长条状且从第二电极延伸;在设有根须母体的金属层上沉积一层硅化物,并采用干法刻蚀去掉除根须母体侧面的硅化物以外的硅化物;采用有机溶剂除去根须母体,得到硅化物根须,硅化物根须由根须母体两侧的硅化物形成;以硅化物根须为掩膜刻蚀金属层,并在刻蚀完成后去掉硅化物根须,得到电流扩展根须。本发明通过上述方案提高了电流扩展能力。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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