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> 技术详情
氮化物半导体发光二极管元件
编号:S000022225
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-19
浏览:
2434
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明的氮化物半导体发光二极管元件包括:n型氮化物半导体层;p型氮化物半导体层;以及在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间设置的有源层,有源层具有量子阱层;以及与p型氮化物半导体层相连的阻挡层的多重量子阱结构,阻挡层由AlGaN层和GaN层的二层结构构成,阻挡层的AlGaN层与量子阱层的p型氮化物半导体层一侧相连。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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