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发光二极管晶片的点测方法
编号:S000022215 刷新日期: 有效日期至:2020-10-30 浏览:2531 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 安徽 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管的点测方法,包括光学参数测试和电性参数测试,其特征在于:对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测,对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。在没有增设任何硬件成本的前提下,实现自动寻找和判别发光二极晶片光学参数集中性分布较好的区域,对其仅测试电性参数,节省光学参数测试的时间,测试速率显著提升,极大程度的提升了机台产能和降低了生产成本。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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