提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括：在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层；将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室；在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层；在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层；以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。