本发明公开了一种具有n型渐变缓冲层的发光二极管及其制作方法。其中，一种发光二极管的外延结构，包括：生长衬底；n型渐变缓冲层，位于所述生长衬底之上；n型限制层，位于所述n型渐变缓冲层之上；有源层，位于所述n型限制层上；p型限制层，位于所述有源层上。本发明利用离子植入法将缓冲层转化为n型渐变缓冲层，在保证获得高质量的外延结构的同时，其应用于垂直结构的发光二极管芯片，能够有效降低接触阻抗。