本发明公开了一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；降低生长温度，开始生长粗化层；关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；完成后续LED生长及芯片工序。本发明的方法采用了在外延过程中改变生长条件的原位粗化方式，简化了工续，并辅以高温再结晶工艺，使粗化层的晶体缺陷及损伤减少。