本发明公开了一种垂直型发光二极管，其具有衬底，所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极，所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述垂直型发光二极管的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层。