本发明公开了一种台阶结构的高亮度发光二极管的制造方法，通过该制造方法获得一种量子阱材料交替变化的发光二极管结构，从而能够增强对电子和空穴的限制作用，有效提高了发光二极管的发光效率，从而有效提高发光二极管的亮度。