本发明提供了一种发光二极管芯片及该芯片的制备方法。该发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：1)在发光二极管芯片的晶圆的衬底背面上，沿X和Y方向进行隐形切割；2)蒸镀ODR层，得到镀膜片；3)沿隐形切割形成的切痕压裂镀膜片，形成裂痕，置于劈裂机中劈裂，得到发光二极管芯片，所得发光二极管芯片的出光效率能提高8～10％。