本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的加工方法，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种纳米柱/针森林结构的加工方法，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：a.准备并清洗所选用的衬底；b.在所述衬底上生长一层多晶硅；c.在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；d.对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；e.调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有高可调控性、均匀性的大面积或图形化纳米结构。