本发明公开了一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板。所述TFT阵列基板的制造方法包括步骤一：提供一基板；步骤二：使用第一掩模版对基板上的第一金属层进行光刻；步骤三：使用第二掩模版对第一绝缘层进行光刻形成第一通孔和第二通孔；步骤四：使用第三掩模版对第二金属层进行光刻；步骤五：使用第二掩模版进行光刻形成第三通孔和第四通孔；步骤六：使用第四掩模版对透明电极层进行光刻形成透明电极图案。在制成采用ASG技术的TFT阵列基板时，除了上述四块掩膜版外，还需使用第五块掩膜版形成半导体有源层，总共需要五块掩膜版，相对于现有技术中的六块掩膜版来说，节约了一块掩膜版，降低了生产成本。