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> 技术详情
红外图像传感器及其形成方法
编号:S000021902
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-16
浏览:
2217
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种红外图像传感器及其形成方法,包括:提供具有CMOS控制电路的衬底;在衬底上方形成像素结构、像素结构和控制电路电连接的插栓;像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层;还包括:形成具有第一开口的第二牺牲层,覆盖像素结构,第一开口位于插栓上方;在第二牺牲层上、第一开口的侧壁和底部形成支撑层;在支撑层中形成第二开口,通过第二开口去除第一牺牲层、第二牺牲层;去除第一牺牲层、第二牺牲层后,形成封盖层,覆盖支撑层、填满第一开口、第二开口,封盖层为对红外线的透射层;在封盖层和支撑层中形成第三开口,利用物理气相沉积工艺在第三开口中形成密封层,密封第三开口。本技术方案中的封盖工艺与传统的半导体工艺兼容。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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