本发明提供一种具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法，方法步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出P接触区的第一窗口；淀积覆盖在二氧化硅介质上和第一窗口内的氮化硅介质，去除部分氮化硅介质，形成暴露出第一窗口的第二窗口；在第二窗口内及与第二窗口紧邻的部分氮化硅介质上制作正面电极；在氮化硅介质及与氮化硅介质紧邻的部分正面电极上覆盖形成聚酰亚胺介质；在晶片背面制作背面电极，完成二极管的加工。本发明可以有效地保护二极管内部的PN结，避免受到外界的可动离子沾污及水汽的影响，从而保证PN结的稳定性及可靠性。