本发明公开了一种用于GaN HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统和测试方法，通过矢量网络分析仪测试GaN HEMT微波功率器件的S参量或通过半导体分析仪测试GaN HEMT微波功率器件脉冲直流特性，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias Tee将脉冲射频信号加载到被测器件GaN HEMT的栅极和漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias Tee上。本发明的GaN HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统及测试方法，在对GaN HEMT微波功率器件测试时，采用脉冲直流电压，由两组开关电路控制施加在偏置器上的直流电源的导通，避免持续对GaN HEMT施加直流电压，造成GaN HEMT的自加热现象，导致恶化微波功率器件性能。