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一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法
编号:S000021869 刷新日期: 有效日期至:2020-12-28 浏览:2430 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法,该器件结构为金属-半导体-金属接触型,从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底,覆盖在基底上的ZnO薄膜,位于ZnO薄膜的中间位置的另一端电极,以及另一端电极四周的ZnO纳米阵列,同时基底为一端电极;另一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。制备方法如下:先利用磁控溅射在基底上生长一层ZnO薄膜;然后在ZnO薄膜上电极并引出一端导线;接着在电极上覆盖PDMS保护层;再通过水热法生长ZnO纳米阵列;最后在样品一侧边缘处刮掉部分ZnO使导电玻璃基底裸露并引出另一端导线,即得所述紫外探测器。本发明具有制作工艺简单、易于操作、成本低廉、器件灵敏度高、性能稳定等优点。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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