一种改善刻蚀形貌并提升可靠性的铜互连制备方法，包括：执行步骤S1：提供衬底；执行步骤S2：在所述衬底上沉积功能膜系；执行步骤S3：形成第一刻蚀窗口；执行步骤S4：形成第二刻蚀窗口；执行步骤S5：刻蚀形成连通衬底的沟槽；执行步骤S6：在所述沟槽内沉积铜阻挡层以及铜种子层，并形成铜填充淀积层；执行步骤S7：通过化学机械研磨以形成铜互连层。通过本发明所述改善刻蚀形貌并提升可靠性的铜互连制备方法所获得的刻蚀图案无明显跳跃，所述超低介电常数薄膜和所述低介电常数薄膜的过渡界面侧切现象不明显；通过本发明所述改善刻蚀形貌并提升可靠性的铜互连制备方法所获得的铜互连层之铜阻挡层以及铜种子层的覆盖质量改善，进一步提升半导体器件的可靠性。