本发明提供一种利用多侧壁图像转移技术在结构中图案化特征的方法，其中，在此提供利用多侧壁图像转移技术在例如用于形成集成电路装置的材料层或半导体衬底等结构中图案化特征的方法。在一实施例中，该方法包括：在结构上方形成第一芯轴；形成邻近该第一芯轴的多个第一间隙壁；形成多个第二芯轴，其邻近该第一间隙壁的其中一第一间隙壁；以及形成多个第二间隙壁，其邻近该第二芯轴之其中一第二芯轴。该方法还包括执行至少一蚀刻工艺，以相对该第一间隙壁及该第二间隙壁选择性移除该第一芯轴及该第二芯轴，从而定义由该第一间隙壁及该第二间隙壁组成的蚀刻掩膜；以及在该结构上通过该蚀刻掩膜执行至少一蚀刻工艺，以在该结构中定义多个特征。