本发明实施例提供一种通孔或接触孔的形成方法，所述方法包括：刻蚀第一电介质层；刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层，以暴露出位于所述刻蚀阻挡层下方的第二电介质层中的金属结构；其特征在于，所述刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层包括：重复执行第一刻蚀过程；其中，所述第一刻蚀过程由下述步骤（a）和（b）组成：（a）在第一时间段内，向反应腔室内施加高射频功率，以对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；（b）在第二时间段内，向反应腔室内施加低射频功率，以淀积聚合物用以保护所述通孔或接触孔的侧壁。相对于现有技术，采用本发明实施例提供的通孔或接触孔的形成方法制作通孔或接触孔的半导体结构的电性能较高。