本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层采用AlGaN；缓冲层采用GaN，该缓冲层中设有按周期性排列的掩蔽层条，每两个掩蔽层条之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。