本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层与多量子阱层之间的电流扩展层，电流扩展层为超晶格结构，超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，第一子层和第二子层由Al_xGa_1-xN制成，相邻的第一子层和第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0