本发明公开了一种可减少光刻次数的平面型功率MOS器件的制造方法，步骤为：a)提供将第一导电类型外延层的表面作为第一主面、将第一导电类型衬底的表面作为第二主面的半导体基板；b)在第一主面上生长绝缘栅氧化层；c)淀积导电多晶硅；d)选择性地掩蔽和刻蚀多晶硅，e)注入第二导电类型杂质、并推阱，形成第二导电类型深阱区；f)淀积介质层；g)形成刻蚀孔，h)选择性地刻蚀介质层；i)注入第一导电类型杂质并推阱形成N+区，然后；j)以介质层为阻挡，刻蚀多晶阻挡块和多晶阻挡块底部剩余的栅氧化层；k)填充孔并淀积金属，并刻蚀金属形成源极金属和截止环金属；1)在第一导电类型衬底底部淀积金属作为漏极。